（原标题：三星电子、SK海力士赌钱赚钱app，技能不对！）

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三星和SK海力士在EUV光刻技能限制分谈扬镳

三星专注于晋升良率，而SK海力士则专注于永恒技能向上。

韩国两泰半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技能上承袭了不同的策略，引起了业界的高度保重。这一发展正巧两家公司王人致力于于增强其在高度动态和竞争是非的半导体阛阓中的竞争力之际。

行为年终组织重组的一部分，三星电子在专家制造和基础纪律总部属设置了一个新的使命组（TF），名为“EUV Synergy TF”。此举被视为晋升雅精良半导体制造（举例 3 纳米 (nm) 代工场）良率的竭力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 拓荒惩办，要点是晋升光刻和追踪拓荒的坐蓐率。该团队的策画是最大适度地晋升EUV光刻拓荒中使用的多样材料和组件的坐蓐率，其中包括ASML独家供应的价值200亿好意思元的光刻机和东京电子的EUV轨谈拓荒。

三星对 EUV 技能的情愿体目前其对 EUV 光刻机的大王人投资。该公司已在其华城和平泽工场购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上，关于坐蓐更小、更复杂的半导体电路至关病笃。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺，尔后在晋升其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工场的良率方面面对挑战。

比较之下，SK海力士则承袭了不同的作念法。该公司在本年的组织重组中驱散了EUV TF，并将其并入昔时技能照拂院。此举突显了 SK 海力士对永恒技能向上的保重，而不是目下产量的晋升。SK 海力士于 2021 年运行将 EUV 期骗于其 10 纳米级第四代 DRAM，目前在利川的 M16 工场运营着 10 多台 EUV 机器。

瞻望昔时，SK海力士昔时技能照拂所臆度将要点准备推出下一代 EUV 光刻拓荒，即高数值孔径机器。SK海力士臆度最早将于来岁下半年收到其第一台高NA机器。这一战术转机突显了 SK 海力士致力于于保捏技能起初地位并为半导体制造的昔时向上作念好准备。

NAND衰竭时候，三星和SK海力士养精蓄锐降本

三星电子和SK海力士等国内存储器行业在NAND衰竭时候本质“镌汰资本”投资策略。据了解，该公司最近运行致力于于大幅减少留传NAND产量，同期将开工率较低的旧纪律立异为最先进的纪律。

据业内东谈主士近日露馅，三星电子和SK海力士条目主要合营伙伴在本年下半年对现存NAND纪律进行立异。

近来，由于PC和智高手机等IT需求低迷，NAND阛阓价钱呈下滑趋势。凭据阛阓照拂公司Trend Force的数据，用于存储卡和USB的通用NAND闪存家具（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定往复价钱为2.16好意思元，环比下跌29.80%。

尤其是老款NAND，举例第7代，供应严重填塞。除了IT需求下跌除外，日本Kiosia、中国厂商等其后者也加入了竞争。

第 7 代（V7）NAND 是存储存储器的单位堆叠成约 170 层的 NAND。NAND 性能跟着堆叠更多单位而晋升。三星电子和SK海力士将从2021年底运行量产第7代NAND。

相应地，国内存储器行业镌汰了7代NAND的开工率，并条目合营伙伴进行立异，将闲置的纪律用作8代和9代NAND的纪律。此外，还决定推迟或减少现存顶端NAND的新纪律投资研究。

https://zdnet.co.kr/view/?no=20241227095152

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